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Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
(Electrically Isolated Tab)
IXFP12N50PM
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 500V
= 6A
≤ 500m Ω
≤ 300ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
OVERMOLDED TO-220
(I XFP...M ) OUTLINE
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C; R GS = 1 M Ω
500
500
V
V
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 30
± 40
6
30
V
V
A
A
G
D
S
Isolated Tab
I A
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J = 150 ° C
T C = 25 ° C
12
600
10
50
A
mJ
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
Mounting torque
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
300
260
1.13/10
2.5
° C
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
Features
Plastic overmolded tab for electrical
isolation
International standard package
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Advantages
Easy to mount
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
500
V
Space savings
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
3.0
5.5
V
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 100 nA
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 6A, Note 1
T J = 125 ° C
5 μ A
250 μ A
500 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99510F(04/08)
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